在去年 5 月的 Samsung Foundry Forum 論壇上，三星宣布了 5/4/3nm 工藝技術(shù)。據(jù)今日 Tom's Hardware 帶來的消息，三星計(jì)劃最早在 2021 年開始量產(chǎn) 3nm 工藝芯片。
除此之外，三星方面還表示，將在今年下半年開始生產(chǎn) 7nm EUV 芯片。在去年，三星還表示將在 2020 年用上 4nm GAAFET（Gate-all-around FET，或稱 " 環(huán)繞式結(jié)構(gòu) FET"）工藝。不過包括 Garner 副總裁 Samuel Wang 在內(nèi)的一些業(yè)內(nèi)人士，對(duì) GAAFET 芯片是否能在 2022 年前投入生產(chǎn)表示了懷疑。
雖然臺(tái)積電、格羅方德 Global Foundries）在 EUV 芯片開發(fā)上方面并不落后，但三星也有自己的一個(gè)優(yōu)勢(shì)。三星已經(jīng)在內(nèi)部開發(fā)了自家了 EUV 掩膜檢測(cè)工具，只是尚未開發(fā)出類似的商業(yè)工具。
【來源：IT之家】
